RF0907026--功率放大器設計及小型化技術.pdf

本文將要論述的是有關砷化鎵場效應管(GaAs FET)功率
放大器的設計技巧和小型化問題。一般而言，功率放大器的設
計重點在匹配電路，但對GaAs FET功率放大器而言，構成功
率放大器的其它部分特別是輸入輸出偏置電路，接地等問題也
是不容忽視的。由于偏置電路設計不當，會耗去調試人員大部
分時間和精力去解決諸如穩定性問題，這些問題之所以存在，
是因為高功率GaBs器件有較為復雜的外圍電路， 器件本身
具有大的傳輸跨導，大電流引起的接地效應也是導致不穩定的
潛在因素。針對這些問題，下面將從偏置、匹配和接地三方面談
談GaAs FET功率放大器的設計方法和常用技巧，這些正是小
型化所必須的。最后給出手持型功率放大器模塊的設計實例。